￥ 0

IRFI530N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFI530N 数据手册 (9 页)

IRFI530N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

41W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

12A

输入电容值(Ciss)

640pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

41W (Tc)

查看数据手册 >

IRFI530N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRFI530N 符合标准

IRFI530N 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.14 MByte

IRFI530N 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFI530N 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFI530N 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFI530 数据手册

IRFI530NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFI530NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

IRFI530NPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

TO-220AB 整包

IRFI530GPBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

Vishay Siliconix

Infineon（英飞凌）

Vishay Siliconix

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFI530N 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFI530G 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFI530G 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号