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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRFI740GLCPBF Datasheet 文档
IRFI740GLCPBF
1.833

IRFI740GLCPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
漏源极电阻
550 mΩ
极性
N-Channel
功耗
40 W
漏源极电压(Vds)
400 V
连续漏极电流(Ids)
5.70 A
耗散功率(Max)
40W (Tc)

IRFI740GLCPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
最小包装数量
50

IRFI740GLCPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.28 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.26 MByte

IRFI740 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 400V , RDS(ON) = 0.55ohm ,ID = 5.4A ) Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI740GPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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