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IRFI830BTU
0.079
IRFI830BTU 数据手册 (9 页)
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IRFI830BTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-262-3
漏源极电阻
1.50 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.13 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.50 A
上升时间
40 ns
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFI830BTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.29 mm
宽度
4.83 mm
高度
7.88 mm

IRFI830BTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.66 MByte

IRFI830 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI830GPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 4.5A
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