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IRFI830GPBF
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IRFI830GPBF 数据手册 (6 页)
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IRFI830GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
3.10 A
极性
N-Channel
功耗
32.0 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
3.10 A
上升时间
16.0 ns
隔离电压
2.50 kV

IRFI830GPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
6 页 / 0.16 MByte

IRFI830 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI830GPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 4.5A
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