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IRFI830GPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

VISHAY IRFI830GPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFI830GPBF 数据手册 (8 页)

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IRFI830GPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

32 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

3.10 A

上升时间

16 ns

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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IRFI830GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFI830GPBF 符合标准

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Vishay Semiconductor（威世）

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