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IRFI830GPBF
0.898
IRFI830GPBF 数据手册 (8 页)
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IRFI830GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
35 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
3.10 A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
610pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
35 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFI830GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRFI830GPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.52 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.22 MByte

IRFI830 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI830GPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 4.5A
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