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IRFIB5N65A
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IRFIB5N65A 数据手册 (8 页)
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IRFIB5N65A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
650 V
额定电流
5.10 A
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
60 W
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
5.10 A
上升时间
20.0 ns
输入电容值(Ciss)
1417pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
60 W

IRFIB5N65A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

IRFIB5N65A 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.14 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.1 MByte

IRFIB5N65 数据手册

IRF
功率MOSFET ( VDSS = 650V , RDS(ON)最大值= 0.93ohm ,ID = 5.1A ) Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
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