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IRFIB6N60APBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

单 N 沟道 600 V 0.75 Ohms 法兰安装功率 Mosfet - TO-220FP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFIB6N60APBF 数据手册 (8 页)

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IRFIB6N60APBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.75 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

5.50 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60 W

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IRFIB6N60APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

9.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRFIB6N60APBF 符合标准

IRFIB6N60APBF 概述

IRFIB6N60APBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.13 MByte

IRFIB6N60APBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

IRFIB6N60APBF 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.12 MByte

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