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IRFIB7N50APBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

VISHAY IRFIB7N50APBF 场效应管, MOSFET, N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFIB7N50APBF 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

IRFIB7N50APBF 数据手册 (3 页)

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IRFIB7N50APBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

6.60 A

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.52 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

4 V

输入电容

1423pF @25V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

6.60 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

1423pF @25V(Vds)

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60 W

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IRFIB7N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.63 mm

高度

9.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFIB7N50APBF 符合标准

IRFIB7N50APBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.12 MByte

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