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IRFIBF20GPBF
1.619

IRFIBF20GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
8 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
900 V
连续漏极电流(Ids)
1.20 A
工作温度(Max)
150 ℃

IRFIBF20GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
最小包装数量
50

IRFIBF20GPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 1.03 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.64 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.12 MByte

IRFIBF20 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFIBF20GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 900V , RDS(ON) = 8.0ohm ,ID = 1.2A ) Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
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