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IRFIBF30G
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IRFIBF30G 数据手册 (9 页)
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IRFIBF30G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
900 V
额定电流
1.90 A
极性
N-Channel
功耗
35.0 W
漏源击穿电压
900 V
连续漏极电流(Ids)
1.90 A

IRFIBF30G 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 1.42 MByte

IRFIBF30 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFIBF30GPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Precision Group
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 900V , RDS(ON) = 3.7ohm ,ID = 1.9A ) Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A)
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