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IRFIZ24GPBF
1.094
IRFIZ24GPBF 数据手册 (8 页)
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IRFIZ24GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-Channel
功耗
37 W
漏源极电压(Vds)
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @25V(Vds)
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
37W (Tc)

IRFIZ24GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
9.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃
最小包装数量
50

IRFIZ24GPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.52 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.51 MByte

IRFIZ24 数据手册

Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFIZ24NPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 14A TO-220FP
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Infineon(英飞凌)
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