￥ 0.605

IRFIZ34NPBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFIZ34NPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFIZ34NPBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFIZ34NPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

N-Channel

功耗

37 W

零部件系列

IRFIZ34N

输入电容

700pF @25V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55.0 V

连续漏极电流(Ids)

21.0 A

上升时间

49.0 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

37 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

IRFIZ34NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.63 mm

高度

9.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IRFIZ34NPBF 符合标准

IRFIZ34NPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

9 页 / 0.27 MByte

IRFIZ34NPBF 其他数据使用手册

International Rectifier（国际整流器）

20 页 / 2.6 MByte

IRFIZ34 数据手册

Vishay Siliconix

Infineon（英飞凌）

Samsung（三星）

Fairchild（飞兆/仙童）

Vishay Intertechnology

IRFIZ34NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFIZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

IRFIZ34GPBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFIZ34NPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFIZ34GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFIZ34GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道

IRFIZ34N 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号