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IRFIZ48GPBF
0.839
IRFIZ48GPBF 数据手册 (9 页)
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IRFIZ48GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.018 Ω
极性
N-Channel
功耗
50 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
37.0 A
上升时间
250 ns
输入电容值(Ciss)
2400pF @25V(Vds)
下降时间
250 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50 W

IRFIZ48GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFIZ48GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.41 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 1.4 MByte

IRFIZ48 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.016ohm ,ID = 36A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A)
Infineon(英飞凌)
TO-220AB 整包
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFIZ48NPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 42W, TO-220 FULLPAK
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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