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IRFL4105TR
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IRFL4105TR 数据手册 (9 页)
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IRFL4105TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
3.70 A
封装
TO-261-4
极性
N-CH
功耗
1W (Ta)
零部件系列
IRFL4105
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
3.70 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @25V(Vds)
下降时间
12 ns
耗散功率(Max)
1W (Ta)

IRFL4105TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFL4105TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte

IRFL4105 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFL4105PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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