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IRFM120ATF 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET IRFM120ATF, 2.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFM120ATF 数据手册 (7 页)

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IRFM120ATF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.2 Ω

功耗

2.4 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

370pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.4 W

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.4 W

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IRFM120ATF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFM120ATF 符合标准

IRFM120ATF 概述

IRFM120ATF 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.25 MByte

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