输入电容值(Ciss)
2900pF @25V(Vds)
●通孔 N 通道 55 V 81A（Tc） 170W（Tc） TO-247AC
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.014ohm ，ID = 70 * A） Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
N沟道,55V,81A,12mΩ@10V
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