Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRFP064N Datasheet 文档
IRFP064N
0.456
IRFP064N 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFP064N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
98.0 A
封装
TO-247
漏源极电阻
8.00 mΩ
极性
N-Channel
功耗
200 W
零部件系列
IRFP064N
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
110 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
4000pF @25V(Vds)
下降时间
70 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

IRFP064N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon

IRFP064N 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 1.65 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFP064 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 70 * A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFP064NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP064NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFP064 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z