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IRFP23N50LPBF
3.193
IRFP23N50LPBF 数据手册 (8 页)
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IRFP23N50LPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.235 Ω
极性
N-Channel
功耗
370 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
23.0 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
370000 mW

IRFP23N50LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm

IRFP23N50LPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.15 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.18 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
2 页 / 0.2 MByte

IRFP23N50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFP23N50LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 500 V, 235 mohm, 10 V, 5 V
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) = 0.190ohm ,ID = 23A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A)
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