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IRFP27N60K
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IRFP27N60K 数据手册 (8 页)
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IRFP27N60K 技术参数、封装参数

类型
描述
极性
N-Channel
功耗
500 W
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
27.0 A

IRFP27N60K 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.08 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.58 MByte

IRFP27N60 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFP27N60KPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) (典型值) = 180mohm ,ID = 27A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
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