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IRFPC60PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247

描述:

VISHAY IRFPC60PBF 场效应管, MOSFET, N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFPC60PBF 数据手册 (3 页)

封装尺寸在3 页

IRFPC60PBF 数据手册 (3 页)

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IRFPC60PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

16.0 A

封装

TO-247

额定功率

280 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

280 W

阈值电压

4 V

输入电容

3900pF @25V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

16.0 A

上升时间

54.0 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IRFPC60PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

IRFPC60PBF 符合标准

IRFPC60PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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