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IRFPG30PBF
1.712
IRFPG30PBF 数据手册 (9 页)
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IRFPG30PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
漏源极电阻
5 Ω
功耗
125W (Tc)
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
1000 V
输入电容值(Ciss)
980pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
125W (Tc)

IRFPG30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFPG30PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.69 MByte

IRFPG30 数据手册

Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 5.0ohm ,ID = 3.1A ) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPG30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
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