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IRFPG30PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247

描述:

VISHAY IRFPG30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFPG30PBF 数据手册 (8 页)

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IRFPG30PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1 kV

连续漏极电流(Ids)

3.10 A

输入电容值(Ciss)

980pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125 W

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IRFPG30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

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IRFPG30PBF 符合标准

IRFPG30PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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