￥ 2.884

IRFPG30PBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

MOS管

封装:

TO-247

描述:

N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFPG30PBF 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

IRFPG30PBF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFPG30PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

3.10 A

封装

TO-247

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

漏源击穿电压

1.00 kV

连续漏极电流(Ids)

3.10 A

上升时间

24.0 ns

查看数据手册 >

IRFPG30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

查看数据手册 >

IRFPG30PBF 符合标准

IRFPG30PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

8 页 / 1.67 MByte

IRFPG30PBF 其他数据使用手册

International Rectifier（国际整流器）

9 页 / 1.69 MByte

IRFPG30 数据手册

Vishay Siliconix

IRFPG30 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFPG30 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPG30 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPG30 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 5.0ohm ，ID = 3.1A ） Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)

IRFPG30PBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFPG30PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFPG30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道

IRFPG30PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,1000V,3.1A,5Ω@10V

IRFPG30PBF 数据手册

Vishay Siliconix

IRFPG30PBF 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号