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IRFPG50PBF
3.47
IRFPG50PBF 数据手册 (8 页)
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IRFPG50PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
6.10 A
封装
TO-247-3
额定功率
190 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
1000 V
漏源击穿电压
1.00 kV
连续漏极电流(Ids)
6.10 A
上升时间
35.0 ns
输入电容值(Ciss)
2800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190 W

IRFPG50PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
500

IRFPG50PBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.25 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 1.06 MByte

IRFPG50 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
TT Electronics/IRC
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 2.0ohm ,ID = 6.1A ) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPG50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,1000V,6.1A,2Ω@10V
Vishay Siliconix
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