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IRFPS3810PBF
3.82
IRFPS3810PBF 数据手册 (4 页)
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IRFPS3810PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
441 W
极性
N-Channel
功耗
580 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
170A
上升时间
270 ns
输入电容值(Ciss)
6790pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
580 W
下降时间
140 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
580W (Tc)

IRFPS3810PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
高度
20.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFPS3810PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRFPS3810 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 170A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A)
Infineon(英飞凌)
N沟道 100 V 580 W 260 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-274AA
International Rectifier(国际整流器)
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