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IRFPS43N50K
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IRFPS43N50K 数据手册 (8 页)
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IRFPS43N50K 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
500 V
额定电流
47.0 A
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500V (min)
连续漏极电流(Ids)
47.0 A
上升时间
140 ns

IRFPS43N50K 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.12 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.12 MByte

IRFPS43N50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) (典型值) = 0.078ohm ,ID = 47A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A)
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,500V,47A,90mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPS43N50KPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 500 V, 78 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
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