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IRFPS43N50KPBF
0.942
IRFPS43N50KPBF 数据手册 (8 页)
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IRFPS43N50KPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
47.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.078 Ω
极性
N-Channel
功耗
540 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
47.0 A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
8310pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
540 W
下降时间
74 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
540000 mW

IRFPS43N50KPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.1 mm
宽度
5.3 mm
高度
20.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRFPS43N50KPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.13 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.16 MByte

IRFPS43N50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) (典型值) = 0.078ohm ,ID = 47A ) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A)
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,500V,47A,90mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPS43N50KPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 500 V, 78 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
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