￥ 0.245

IRFR220TRRPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

TO-252-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFR220TRRPBF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFR220TRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

漏源极电阻

800 mΩ

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

4.8A

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

260pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

查看数据手册 >

IRFR220TRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2000

查看数据手册 >

IRFR220TRRPBF 符合标准

IRFR220TRRPBF 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 1.44 MByte

IRFR220TRRPBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

12 页 / 0.23 MByte

IRFR220 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFR220 数据手册

Intersil（英特矽尔）

4.6A ， 200V ， 0.800 Ohm的N通道功率MOSFET 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRFR220 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

Fairchild（飞兆/仙童）

Philips（飞利浦）

Infineon（英飞凌）

Samsung（三星）

Vishay Siliconix

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFR220 数据手册

Harris

N沟道 200V 4.6A

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号