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IRFR48Z
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IRFR48Z 数据手册 (11 页)
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IRFR48Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
62A

IRFR48Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRFR48Z 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR48 数据手册

Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRFR48ZTRPBF TO-252
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.00886 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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