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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRFR9024TRPBF Datasheet 文档
IRFR9024TRPBF
0.29

IRFR9024TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
280 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
-8.80 A
上升时间
68 ns
输入电容值(Ciss)
570pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

IRFR9024TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRFR9024TRPBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 1.14 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.25 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.11 MByte

IRFR9024 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Samsung(三星)
Vishay Intertechnology
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = -8.8A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
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