￥ 1.602

IRFSL11N50APBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRFSL11N50APBF 数据手册 (9 页)

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IRFSL11N50APBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

额定功率

190 W

漏源极电阻

550 mΩ

极性

N-CH

功耗

190 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

34 ns

输入电容值(Ciss)

1426pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190000 mW

IRFSL11N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

最小包装数量

1000

IRFSL11N50APBF 符合标准

IRFSL11N50APBF 数据手册

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