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IRFU110ATU
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IRFU110ATU 数据手册 (7 页)
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IRFU110ATU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
4.70 A
封装
IPAK
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
20.0 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
±30.0 V
栅源击穿电压
±0.00 V
连续漏极电流(Ids)
4.70 A

IRFU110ATU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

IRFU110ATU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.24 MByte

IRFU110 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
4.7A , 100V , 0.540 Ohm的N通道功率MOSFET 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Harris
N沟道 100V 4.3A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFU110PBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAK
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
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