Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > IRFU1N60A Datasheet 文档
IRFU1N60A
0
IRFU1N60A 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFU1N60A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-251-3
极性
N-Channel
功耗
36W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
1.40 A
输入电容值(Ciss)
229pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
36W (Tc)

IRFU1N60A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFU1N60A 数据手册

Vishay Siliconix
12 页 / 0.25 MByte
Vishay Siliconix
11 页 / 0.23 MByte

IRFU1N60 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFU1N60APBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z