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IRFU5305PBF
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IRFU5305PBF 数据手册 (11 页)
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IRFU5305PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-55.0 V
额定电流
-28.0 A
封装
TO-251-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.065 Ω
极性
P-Channel
功耗
110 W
零部件系列
IRFU5305
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
-55.0 V
连续漏极电流(Ids)
-31.0 A
上升时间
66.0 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFU5305PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
17.09 mm
高度
6.73 mm
脚长度
9.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFU5305PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.23 MByte
International Rectifier(国际整流器)
4 页 / 0.21 MByte

IRFU5305 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(ON) = 0.065ohm ,ID = -31A ) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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