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IRG4PH20KDPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON IRG4PH20KDPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRG4PH20KDPBF 数据手册 (11 页)

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IRG4PH20KDPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定功率

60 W

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

60 W

上升时间

30.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

51 ns

额定功率(Max)

60 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60 W

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IRG4PH20KDPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

15.87 mm

宽度

5.31 mm

高度

20.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRG4PH20KDPBF 符合标准

IRG4PH20KDPBF 海关信息

IRG4PH20KDPBF 概述

IRG4PH20KDPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.19 MByte

IRG4PH20KDPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRG4PH20KDPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IRG4PH20KDPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRG4PH20KDPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

IRG4PH20 数据手册

IRF

绝缘栅双极晶体管（ VCES = 1200V ，的VCE（on ）典型值= 3.17V ， @ VGE = 15V ， IC = 5.0A ） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

IRG4PH20KDPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRG4PH20KDPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

IRG4PH20KPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRG4PH20KPBF 单晶体管, IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

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