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IRG4PSH71KDPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

Super-247-3

描述:

INFINEON IRG4PSH71KDPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 3.9 V, 350 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRG4PSH71KDPBF 数据手册 (11 页)

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IRG4PSH71KDPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

Super-247-3

额定功率

350 W

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

350 W

上升时间

84.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

107 ns

额定功率(Max)

350 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 W

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IRG4PSH71KDPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Bulk

长度

16.1 mm

宽度

5.3 mm

高度

20.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRG4PSH71KDPBF 符合标准

IRG4PSH71KDPBF 海关信息

IRG4PSH71KDPBF 概述

IRG4PSH71KDPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.38 MByte

IRG4PSH71KDPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRG4PSH71KDPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IRG4PSH71KDPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRG4PSH71KDPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.13 MByte

IRG4PSH71KDPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

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绝缘栅双极晶体管（ VCES = 1200V ，的VCE（on ）典型值= 2.97V ， @ VGE = 15V ， IC = 42A ） INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)

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Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

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