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IRL2203NLPBF
3.304
IRL2203NLPBF 数据手册 (10 页)
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IRL2203NLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
116 A
封装
TO-262-3
极性
N-Channel
功耗
3.8W (Ta), 180W (Tc)
零部件系列
IRL2203NL
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
116 A
上升时间
160 ns
输入电容值(Ciss)
3290pF @25V(Vds)
下降时间
66 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 180W (Tc)

IRL2203NLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRL2203NLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.06 MByte

IRL2203 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 7.0mohm ,ID = 116A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL2203NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRL2203NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL2203NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 116A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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