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IRL60HS118 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

PG-TSDSON-6

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 60 V, 0.0133 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRL60HS118 数据手册 (16 页)

IRL60HS118 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

PG-TSDSON-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.0133 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

660pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

11.5W (Tc)

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IRL60HS118 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRL60HS118 符合标准

IRL60HS118 数据手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 1.02 MByte

IRL60HS118 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRL60HS118 其他数据使用手册

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