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IRLD014PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP

描述:

VISHAY IRLD014PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLD014PBF 数据手册 (8 页)

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IRLD014PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

1.70 A

封装

DIP

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

2 V

输入电容

400pF @25V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A

上升时间

110 ns

输入电容值(Ciss)

400pF @25V(Vds)

下降时间

26 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3 W

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IRLD014PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

6.29 mm

高度

3.37 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IRLD014PBF 符合标准

IRLD014PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 1.68 MByte

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