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IRLD120PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP

描述:

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLD120PBF 数据手册 (8 页)

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IRLD120PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

1.30 A

封装

DIP

额定功率

1.3 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.27 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.3 W

阈值电压

2 V

输入电容

490pF @25V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

1.30 A

上升时间

64.0 ns

输入电容值(Ciss)

490pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3 W

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IRLD120PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

6.29 mm

高度

3.37 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IRLD120PBF 符合标准

IRLD120PBF 海关信息

IRLD120PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 1.61 MByte

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Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 1.63 MByte

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