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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRLH5030TRPBF Datasheet 文档
IRLH5030TRPBF
器件3D模型
0.818

IRLH5030TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PQFN-8
漏源极电阻
9.9 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.6 W
零部件系列
IRLH5030
阈值电压
2.5 V
输入电容
5185pF @50V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
100 A
热阻
35℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
5185pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
3.6 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRLH5030TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.15 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRLH5030TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.24 MByte

IRLH5030 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLH5030TRPBF  场效应管, MOSFET, N通道
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLH5030TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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