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IRLHM620TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

3X3-8

描述:

INFINEON IRLHM620TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 20 V, 2 mohm, 4.5 V, 800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLHM620TR2PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRLHM620TR2PBF 数据手册 (9 页)

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IRLHM620TR2PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

3X3-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.002 Ω

极性

N-CH

功耗

2.7 W

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

26A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

3620pF @10V(Vds)

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

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IRLHM620TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRLHM620TR2PBF 符合标准

IRLHM620TR2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.51 MByte

IRLHM620TR2PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRLHM620TR2PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.07 MByte

IRLHM620TR2PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.07 MByte

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