器件3D模型

￥ 0.239

IRLHS6342TR2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PQFN-6

描述:

INFINEON IRLHS6342TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 30 V, 12 mohm, 4.5 V, 1.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLHS6342TR2PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRLHS6342TR2PBF 数据手册 (9 页)

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IRLHS6342TR2PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

PQFN-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.012 Ω

极性

N-CH

功耗

2.1 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

8.7A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

1019pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta)

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IRLHS6342TR2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRLHS6342TR2PBF 符合标准

IRLHS6342TR2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.23 MByte

IRLHS6342TR2PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRLHS6342TR2PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.07 MByte

IRLHS6342TR2PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.07 MByte

IRLHS6342TR2 数据手册

IRLHS6342TR2PBF 数据手册

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INFINEON IRLHS6342TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 30 V, 12 mohm, 4.5 V, 1.1 V

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