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IRLI530GPBF
0.826
IRLI530GPBF 数据手册 (9 页)
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IRLI530GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
极性
N-Channel
功耗
42000 mW
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
9.70 A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
930pF @25V(Vds)
下降时间
48 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
42000 mW

IRLI530GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
高度
9.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRLI530GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.5 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 1.49 MByte

IRLI530 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLI530NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 100 V, 100 mohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
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