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IRLIZ34GPBF
1.116

IRLIZ34GPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
50 mΩ
极性
N-Channel
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
170 ns
输入电容值(Ciss)
1600pF @25V(Vds)
下降时间
56 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
42000 mW

IRLIZ34GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃
最小包装数量
50

IRLIZ34GPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.62 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 1.59 MByte

IRLIZ34 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLIZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
TO-220AB 整包
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLIZ34GPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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