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IRLIZ44G
1.759

IRLIZ44G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-220-3
功耗
48W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
230 ns
输入电容值(Ciss)
3300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
48W (Tc)

IRLIZ44G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLIZ44G 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.78 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 1.7 MByte

IRLIZ44 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLIZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLIZ44GPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 28 mohm, 5 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
N沟道 55V 30A
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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