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IRLL110TRPBF
0.361
IRLL110TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLL110TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
漏源极电阻
540 mΩ
功耗
2W (Ta), 3.1W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
耗散功率(Max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)

IRLL110TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLL110TRPBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.34 MByte
Vishay Siliconix
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IRLL110 数据手册

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功率MOSFET Power MOSFET
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功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.54ohm ,ID = 1.5A ) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLL110TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 27W, SOT-223
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRLL110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
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