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IRLMS2002TR
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IRLMS2002TR 数据手册 (8 页)
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IRLMS2002TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
6.50 A
封装
SOT-23-6
漏源极电阻
30.0 mΩ (max)
极性
N-Channel
功耗
2W (Ta)
零部件系列
IRLMS2002
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
6.50 A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
1310pF @15V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

IRLMS2002TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLMS2002TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.09 MByte

IRLMS2002 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLMS2002TRPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLMS2002PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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