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IRLMS6802TR
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IRLMS6802TR 数据手册 (7 页)
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IRLMS6802TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-23-6
极性
P-CH
功耗
2W (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.6A
上升时间
33 ns
输入电容值(Ciss)
1079pF @10V(Vds)
下降时间
72 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

IRLMS6802TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLMS6802TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.09 MByte

IRLMS6802 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
P沟道 20V 5.6A
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
International Rectifier(国际整流器)
IRLMS6802TR P沟道MOS场效应管 -20V -5.6A 100毫欧 SOT-163 marking/标记 2EO/E5 低导通电阻 第五代技术
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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